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NTJS4151PT1G
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 4.2 A, 0.06 ohm, SOT-363, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY2.220 | CNY11.10 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.220 (CNY2.5086) |
| 50+ | CNY1.890 (CNY2.1357) |
| 100+ | CNY1.540 (CNY1.7402) |
| 500+ | CNY1.040 (CNY1.1752) |
| 1500+ | CNY1.020 (CNY1.1526) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY0.824 (CNY0.9311) |
| 9000+ | CNY0.793 (CNY0.8961) |
品項附註
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产品概述
The NTJS4151PT1G is a P-channel single Trench Power MOSFET offers -20V drain source voltage and -3.3A continuous drain current. It is suitable for use as high side load switches, cell phones, computing, digital cameras, MP3s and PDAs.
- Leading Trench technology for low RDS (ON) extending battery life
- Small outline (2 x 2 mm) for maximum circuit board utilization
- Gate diodes for ESD protection
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
4.2A
晶体管封装类型
SOT-363
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.06ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
400mV
针脚数
6引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000006