打印页面
NTJD4105CT2G
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
6,055 有货
2,900 您现在可以预订货品了
1335 件可于下一个工作日送达(Shanghai 库存)
4720 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY3.060 | CNY15.30 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.060 (CNY3.4578) |
| 10+ | CNY1.860 (CNY2.1018) |
| 100+ | CNY1.180 (CNY1.3334) |
| 500+ | CNY0.900 (CNY1.017) |
| 1000+ | CNY0.687 (CNY0.7763) |
| 5000+ | CNY0.674 (CNY0.7616) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTJD4105CT2G
库存编号
复卷2724456RL
切割卷带2724456
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道630mA
连续漏极电流 Id P沟道630mA
漏源通态电阻N沟道0.29ohm
漏源导通电阻P沟道0.29ohm
晶体管封装类型SOT-363
针脚数6引脚
耗散功率N沟道270mW
耗散功率P沟道270mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
630mA
漏源导通电阻P沟道
0.29ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
270mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
630mA
漏源通态电阻N沟道
0.29ohm
晶体管封装类型
SOT-363
耗散功率N沟道
270mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536