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| 5+ | CNY251.560 (CNY284.2628) |
| 10+ | CNY208.450 (CNY235.5485) |
| 50+ | CNY186.850 (CNY211.1405) |
| 100+ | CNY172.520 (CNY194.9476) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTHL022N120M3S复制
制造商标准货期27 周
库存编号4143102
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续68A
漏源接通状态电阻0.022ohm
晶体管封装类型TO-247
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值4.4V
功率耗散352W
工作温度最高值175°C
产品范围-
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
68A
晶体管封装类型
TO-247
阈值栅源电压最大值
4.4V
工作温度最高值
175°C
通道类型
N通道
漏源接通状态电阻
0.022ohm
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
352W
产品范围
-
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.00831

