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NTHD4102PT1G
双路场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 20 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.064 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY8.420 | CNY42.10 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY8.420 (CNY9.5146) |
| 50+ | CNY7.000 (CNY7.910) |
| 100+ | CNY5.590 (CNY6.3167) |
| 500+ | CNY4.020 (CNY4.5426) |
| 1500+ | CNY3.940 (CNY4.4522) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY3.860 (CNY4.3618) |
| 9000+ | CNY3.790 (CNY4.2827) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTHD4102PT1G复制
库存编号
整卷2442216
复卷2533189RL
切割卷带2533189
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道2.9A
连续漏极电流 Id P沟道2.9A
漏源通态电阻N沟道0.064ohm
漏源导通电阻P沟道0.064ohm
晶体管封装类型ChipFET
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1.1W
耗散功率P沟道1.1W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
2.9A
漏源导通电阻P沟道
0.064ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1.1W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
2.9A
漏源通态电阻N沟道
0.064ohm
晶体管封装类型
ChipFET
耗散功率N沟道
1.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000056