打印页面
NTH4L040N120SC1
碳化硅MOSFET, EliteSiC, 单, N通道, 58 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
384 有货
需要更多？
384 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY146.860 (CNY165.9518) |
| 5+ | CNY137.540 (CNY155.4202) |
| 10+ | CNY128.210 (CNY144.8773) |
| 50+ | CNY118.890 (CNY134.3457) |
| 100+ | CNY109.560 (CNY123.8028) |
| 250+ | CNY100.230 (CNY113.2599) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY146.86 (CNY165.95 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTH4L040N120SC1
库存编号3464004
产品范围EliteSiC Series
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续58A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.04ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数4引脚
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散319W
工作温度最高值175°C
产品范围EliteSiC Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
58A
漏源接通状态电阻
0.04ohm
针脚数
4引脚
阈值栅源电压最大值
3V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
319W
产品范围
EliteSiC Series
相关产品
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536