打印页面
NTGD4167CT1G
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm
51 有货
12,000 您现在可以预订货品了
51 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY4.860 | CNY24.30 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.860 (CNY5.4918) |
| 50+ | CNY3.820 (CNY4.3166) |
| 100+ | CNY2.770 (CNY3.1301) |
| 500+ | CNY1.900 (CNY2.147) |
| 1500+ | CNY1.870 (CNY2.1131) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY1.520 (CNY1.7176) |
| 9000+ | CNY1.490 (CNY1.6837) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
2.6A
漏源导通电阻P沟道
0.052ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
900mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
2.6A
漏源通态电阻N沟道
0.052ohm
晶体管封装类型
TSOP
耗散功率N沟道
900mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
相关产品
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000076