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NTD6416ANLT4G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 19 A, 0.074 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY9.150 | CNY45.75 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY9.150 (CNY10.3395) |
| 50+ | CNY7.650 (CNY8.6445) |
| 100+ | CNY6.140 (CNY6.9382) |
| 500+ | CNY4.860 (CNY5.4918) |
| 1000+ | CNY4.500 (CNY5.085) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTD6416ANLT4G
库存编号
复卷1879967RL
切割卷带1879967
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续19A
漏源接通状态电阻0.074ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.2V
功率耗散71W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The NTD6416ANLT4G is a N-channel Power MOSFET offers 100V drain source voltage and 19A continuous drain current.
- Lower RDS (ON)
- High current capability
- 100% Avalanche tested
- -55 to 175°C Operating junction temperature range
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
19A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
71W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.074ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001272