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NTD6416ANLT4G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 19 A, 0.074 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY10.060 | CNY50.30 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY10.060 (CNY11.3678) |
| 50+ | CNY8.450 (CNY9.5485) |
| 100+ | CNY6.830 (CNY7.7179) |
| 500+ | CNY5.540 (CNY6.2602) |
| 1000+ | CNY4.970 (CNY5.6161) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 2500+ | CNY4.020 (CNY4.5426) |
| 7500+ | CNY3.940 (CNY4.4522) |
品項附註
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产品概述
The NTD6416ANLT4G is a N-channel Power MOSFET offers 100V drain source voltage and 19A continuous drain current.
- Lower RDS (ON)
- High current capability
- 100% Avalanche tested
- -55 to 175°C Operating junction temperature range
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
19A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
71W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.074ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001272