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NTD5C632NLT4G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 155 A, 2100 µohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY15.770 | CNY15.77 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY15.770 (CNY17.8201) |
| 10+ | CNY10.060 (CNY11.3678) |
| 100+ | CNY6.820 (CNY7.7066) |
| 500+ | CNY5.420 (CNY6.1246) |
| 1000+ | CNY4.800 (CNY5.424) |
| 5000+ | CNY4.710 (CNY5.3223) |
品項附註
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTD5C632NLT4G
库存编号
复卷3929791RL
切割卷带3929791
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续155A
漏源接通状态电阻2100µohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.1V
功率耗散115W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
155A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
115W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
2100µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Vietnam
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Vietnam
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001