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NTD5802NT4G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 101 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY9.000 | CNY9.00 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY9.000 (CNY10.170) |
| 10+ | CNY5.800 (CNY6.554) |
| 100+ | CNY5.230 (CNY5.9099) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTD5802NT4G
库存编号
复卷2724410RL
切割卷带2724410
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续101A
漏源接通状态电阻3600µohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.5V
功率耗散93.75W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (10-Jun-2022)
NTD5802NT4G 的替代之选
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
101A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
93.75W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (10-Jun-2022)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
3600µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (10-Jun-2022)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000426