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NTD3055-094T4G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 12 A, 0.094 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY8.310 | CNY41.55 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY8.310 (CNY9.3903) |
| 50+ | CNY6.900 (CNY7.797) |
| 100+ | CNY5.490 (CNY6.2037) |
| 500+ | CNY5.390 (CNY6.0907) |
| 1000+ | CNY5.280 (CNY5.9664) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 2500+ | CNY5.120 (CNY5.7856) |
| 7500+ | CNY5.020 (CNY5.6726) |
品項附註
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产品概述
NTD3055-094T4G是一款N沟道功率MOSFET, 设计用于低电压, 高速开关应用, 适用于电源, 转换器, 电机控制, 桥接电路等应用。
- 低RDS (ON)
- 低VDS (ON)
- 低VSD
- 缩短二极管反向恢复时间
- 低反向恢复存储电荷
- 工作温度范围: -55到175°C
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
12A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
48W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.094ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.9V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
NTD3055-094T4G 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000454