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NTD18N06LT4G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 18 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY8.920 | CNY44.60 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY8.920 (CNY10.0796) |
| 50+ | CNY7.450 (CNY8.4185) |
| 100+ | CNY5.980 (CNY6.7574) |
| 500+ | CNY4.730 (CNY5.3449) |
| 1000+ | CNY4.320 (CNY4.8816) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 2500+ | CNY3.420 (CNY3.8646) |
| 7500+ | CNY3.370 (CNY3.8081) |
品項附註
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTD18N06LT4G复制
库存编号
整卷2442181
复卷2533181RL
切割卷带2533181
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续18A
漏源接通状态电阻0.065ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压5V
阈值栅源电压最大值1.8V
功率耗散55W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
18A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
5V
功率耗散
55W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.065ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.8V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000484