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NTBL075N065SC1
碳化硅MOSFET, EliteSiC, 单, N通道, 37 A, 650 V, 0.085 ohm, H-PSOF
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTBL075N065SC1复制
库存编号
复卷4472905RL
切割卷带4472905
产品范围EliteSiC Series
您的零件号
1,980 有货
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY64.190 | CNY64.19 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY64.190 (CNY72.5347) |
| 10+ | CNY45.990 (CNY51.9687) |
| 100+ | CNY33.890 (CNY38.2957) |
| 500+ | CNY33.510 (CNY37.8663) |
| 1000+ | CNY32.300 (CNY36.499) |
品項附註
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTBL075N065SC1复制
库存编号
复卷4472905RL
切割卷带4472905
产品范围EliteSiC Series
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续37A
漏源电压, Vds650V
漏源接通状态电阻0.085ohm
晶体管封装类型H-PSOF
针脚数8引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值4.3V
功率耗散139W
工作温度最高值175°C
产品范围EliteSiC Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
37A
漏源接通状态电阻
0.085ohm
针脚数
8引脚
阈值栅源电压最大值
4.3V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
H-PSOF
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
139W
产品范围
EliteSiC Series
技术文档 (1)
法律与环境
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001