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NTBL060N065SC1
碳化硅MOSFET, EliteSiC, 单, N通道, 46 A, 650 V, 0.07 ohm, H-PSOF
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTBL060N065SC1
库存编号
复卷4472904RL
切割卷带4472904
产品范围EliteSiC Series
您的零件号
1,995 有货
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1995 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY64.800 | CNY64.80 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY64.800 (CNY73.224) |
| 5+ | CNY55.930 (CNY63.2009) |
| 10+ | CNY47.060 (CNY53.1778) |
| 50+ | CNY43.260 (CNY48.8838) |
| 100+ | CNY39.450 (CNY44.5785) |
| 250+ | CNY38.670 (CNY43.6971) |
品項附註
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTBL060N065SC1
库存编号
复卷4472904RL
切割卷带4472904
产品范围EliteSiC Series
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续46A
漏源电压, Vds650V
漏源接通状态电阻0.07ohm
晶体管封装类型H-PSOF
针脚数8引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值4.3V
功率耗散170W
工作温度最高值175°C
产品范围EliteSiC Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
46A
漏源接通状态电阻
0.07ohm
针脚数
8引脚
阈值栅源电压最大值
4.3V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
H-PSOF
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
170W
产品范围
EliteSiC Series
技术文档 (1)
法律与环境
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001