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制造商ONSEMI
制造商产品编号NTBL045N065SC1复制
库存编号
整卷4068153
复卷4051293RL
切割卷带4051293
产品范围EliteSiC Series
您的零件号
4,000 有货
需要更多?
2,000 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
2,000 件可于 5-6 个工作日内送达(美国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 复卷 | 1 | CNY135.210 | CNY135.21 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY135.210 (CNY152.7873) |
| 50+ | CNY123.060 (CNY139.0578) |
| 100+ | CNY110.900 (CNY125.317) |
| 500+ | CNY110.310 (CNY124.6503) |
| 1000+ | CNY104.150 (CNY117.6895) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY102.100 (CNY115.373) |
| 10+ | CNY71.580 (CNY80.8854) |
| 25+ | CNY67.290 (CNY76.0377) |
| 50+ | CNY63.000 (CNY71.190) |
| 100+ | CNY58.710 (CNY66.3423) |
| 250+ | CNY58.560 (CNY66.1728) |
| 500+ | CNY58.400 (CNY65.992) |
| 1000+ | CNY55.620 (CNY62.8506) |
品項附註
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTBL045N065SC1复制
库存编号
整卷4068153
复卷4051293RL
切割卷带4051293
产品范围EliteSiC Series
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续73A
漏源电压, Vds650V
漏源接通状态电阻0.05ohm
晶体管封装类型H-PSOF
针脚数8引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值2.8V
功率耗散348W
工作温度最高值175°C
产品范围EliteSiC Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
73A
漏源接通状态电阻
0.05ohm
针脚数
8引脚
阈值栅源电压最大值
2.8V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
H-PSOF
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
348W
产品范围
EliteSiC Series
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.001047
