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NTBG060N065SC1
碳化硅MOSFET, EliteSiC, 单, N通道, 46 A, 650 V, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK)
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTBG060N065SC1
库存编号
复卷4051292RL
切割卷带4051292
产品范围EliteSiC Series
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 复卷 | 1 | CNY87.330 | CNY87.33 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY87.330 (CNY98.6829) |
| 5+ | CNY73.970 (CNY83.5861) |
| 10+ | CNY60.610 (CNY68.4893) |
| 50+ | CNY55.970 (CNY63.2461) |
| 100+ | CNY51.320 (CNY57.9916) |
| 250+ | CNY50.300 (CNY56.839) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTBG060N065SC1
库存编号
复卷4051292RL
切割卷带4051292
产品范围EliteSiC Series
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续46A
漏源电压, Vds650V
漏源接通状态电阻0.07ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值2.8V
功率耗散170W
工作温度最高值175°C
产品范围EliteSiC Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
46A
漏源接通状态电阻
0.07ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
2.8V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
170W
产品范围
EliteSiC Series
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0004