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NTBG045N065SC1
碳化硅MOSFET, EliteSiC, 单, N通道, 62 A, 650 V, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK)
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTBG045N065SC1
库存编号
复卷3766198RL
切割卷带3766198
产品范围EliteSiC Series
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786 有货
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY172.000 | CNY172.00 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY172.000 (CNY194.360) |
| 10+ | CNY117.900 (CNY133.227) |
| 50+ | CNY111.860 (CNY126.4018) |
| 100+ | CNY105.800 (CNY119.554) |
| 250+ | CNY103.680 (CNY117.1584) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTBG045N065SC1
库存编号
复卷3766198RL
切割卷带3766198
产品范围EliteSiC Series
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续62A
漏源电压, Vds650V
漏源接通状态电阻0.031ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值2.8V
功率耗散242W
工作温度最高值175°C
产品范围EliteSiC Series
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
62A
漏源接通状态电阻
0.031ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
2.8V
工作温度最高值
175°C
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
242W
产品范围
EliteSiC Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001821