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NTBG040N120M3S
碳化硅MOSFET, N通道, 51 A, 1.2 kV, 0.052 ohm, D2PAK-7L
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY143.930 (CNY162.6409) |
| 5+ | CNY125.920 (CNY142.2896) |
| 10+ | CNY104.320 (CNY117.8816) |
| 50+ | CNY93.560 (CNY105.7228) |
| 100+ | CNY86.400 (CNY97.632) |
| 250+ | CNY80.610 (CNY91.0893) |
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最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTBG040N120M3S复制
制造商标准货期27 周
库存编号4143095
技术数据表
MOSFET模块配置-
通道类型N通道
电流, Id 连续51A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.052ohm
晶体管封装类型D2PAK-7L
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值4.4V
功率耗散329W
工作温度最高值175°C
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
-
电流, Id 连续
51A
漏源接通状态电阻
0.052ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
4.4V
工作温度最高值
175°C
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
D2PAK-7L
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
329W
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001743