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制造商ONSEMI
制造商产品编号NTBG030N120M3S复制
库存编号
整卷4294122
复卷4244648RL
切割卷带4244648
产品范围EliteSiC Series
您的零件号
1,317 有货
需要更多?
1,160 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
157 件可于 5-6 个工作日内送达(美国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY113.520 | CNY113.52 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY113.520 (CNY128.2776) |
| 10+ | CNY79.730 (CNY90.0949) |
| 50+ | CNY74.180 (CNY83.8234) |
| 100+ | CNY68.630 (CNY77.5519) |
| 250+ | CNY67.260 (CNY76.0038) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY97.080 (CNY109.7004) |
| 10+ | CNY68.530 (CNY77.4389) |
| 25+ | CNY66.820 (CNY75.5066) |
| 50+ | CNY65.100 (CNY73.563) |
| 100+ | CNY63.390 (CNY71.6307) |
| 250+ | CNY61.670 (CNY69.6871) |
| 500+ | CNY59.950 (CNY67.7435) |
品項附註
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTBG030N120M3S复制
库存编号
整卷4294122
复卷4244648RL
切割卷带4244648
产品范围EliteSiC Series
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续77A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.029ohm
晶体管封装类型D2PAK-7L
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值4.4V
功率耗散348W
工作温度最高值175°C
产品范围EliteSiC Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
77A
漏源接通状态电阻
0.029ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
4.4V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
D2PAK-7L
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
348W
产品范围
EliteSiC Series
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.001
