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NTBG030N120M3S
碳化硅MOSFET, N通道, 77 A, 1.2 kV, 0.029 ohm, D2PAK-7L
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|---|---|
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| 5+ | CNY83.360 (CNY94.1968) |
| 10+ | CNY78.670 (CNY88.8971) |
| 50+ | CNY74.080 (CNY83.7104) |
| 100+ | CNY69.390 (CNY78.4107) |
| 250+ | CNY64.800 (CNY73.224) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTBG030N120M3S复制
制造商标准货期27 周
库存编号4143094
技术数据表
通道类型N通道
电流, Id 连续77A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.029ohm
晶体管封装类型D2PAK-7L
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值4.4V
功率耗散348W
工作温度最高值175°C
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
D2PAK-7L
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
348W
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
电流, Id 连续
77A
漏源接通状态电阻
0.029ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
4.4V
工作温度最高值
175°C
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001743