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NTBG028N170M1
碳化硅MOSFET, EliteSiC, 单, N通道, 71 A, 1.7 kV, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK)
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTBG028N170M1
库存编号
整卷4079671
复卷4079788RL
切割卷带4079788
产品范围EliteSiC Series
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY272.710 | CNY272.71 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY272.710 (CNY308.1623) |
| 5+ | CNY256.310 (CNY289.6303) |
| 10+ | CNY239.900 (CNY271.087) |
| 50+ | CNY235.110 (CNY265.6743) |
| 100+ | CNY230.310 (CNY260.2503) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 800+ | CNY217.600 (CNY245.888) |
| 2400+ | CNY213.250 (CNY240.9725) |
品項附註
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTBG028N170M1
库存编号
整卷4079671
复卷4079788RL
切割卷带4079788
产品范围EliteSiC Series
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续71A
漏源电压, Vds1.7kV
漏源接通状态电阻0.028ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值4.3V
功率耗散428W
工作温度最高值175°C
产品范围EliteSiC Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
71A
漏源接通状态电阻
0.028ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
4.3V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.7kV
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
428W
产品范围
EliteSiC Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001