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NTBG020N090SC1
碳化硅MOSFET, EliteSiC, 单, N通道, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTBG020N090SC1
库存编号
复卷3367849RL
切割卷带3367849
产品范围EliteSiC Series
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615 有货
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY254.030 | CNY254.03 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY254.030 (CNY287.0539) |
| 10+ | CNY213.950 (CNY241.7635) |
| 50+ | CNY208.920 (CNY236.0796) |
| 100+ | CNY203.890 (CNY230.3957) |
| 250+ | CNY199.810 (CNY225.7853) |
品項附註
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTBG020N090SC1
库存编号
复卷3367849RL
切割卷带3367849
产品范围EliteSiC Series
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续112A
漏源电压, Vds900V
漏源接通状态电阻0.02ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压15V
阈值栅源电压最大值2.6V
功率耗散477W
工作温度最高值175°C
产品范围EliteSiC Series
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
NTBG020N090SC1 是 EliteSiC 碳化硅（SiC）MOSFET，它采用了全新的技术，与硅相比，具有更出色的开关性能和更高的可靠性。此外，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。因此，系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更小的 EMI 和更小的系统尺寸。应用包括直流-直流转换器、升压逆变器、UPS。
- 低 RDSon、超低栅极电荷 (Qg tot)、低输出电容 (Coss)
- 100%经过UIL测试
- 漏极至源极击穿电压最低为 900V（VGS = 0V，ID = 1mA，TJ = 25°C）
- 在 VGS = 0V、TJ = 25°C 时，零栅极电压漏极电流最大为 100µA
- 在 VGS = VDS、ID = 20mA、TJ = 25°C 时，栅极阈值电压为 2.6V（典型值）
- 漏极至源极导通电阻为 20mohm（典型值），电压 VGS = 15V，电流 ID = 60A，温度 TJ = 25°C
- 在 VGS = -5/15V、VDS = 720V、ID = 60A、TJ = 25°C 时，栅极总电荷为 200nC（典型值）
- 52ns 上升时间/13ns 下降时间，VGS = -5/15V，VDS = 720V，ID = 60A，RG = 2.5ohm，电感负载
- 工作结温和存储温度范围为 -55 至 +175°C
- D2PAK-7L封装
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
112A
漏源接通状态电阻
0.02ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
2.6V
工作温度最高值
175°C
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
900V
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
15V
功率耗散
477W
产品范围
EliteSiC Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001807