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NTBG014N120M3P
碳化硅MOSFET, EliteSiC, 单, N通道, 104 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK)
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTBG014N120M3P复制
库存编号
复卷4079787RL
切割卷带4079787
产品范围EliteSiC Series
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY241.350 | CNY241.35 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY241.350 (CNY272.7255) |
| 5+ | CNY209.030 (CNY236.2039) |
| 10+ | CNY176.710 (CNY199.6823) |
| 50+ | CNY174.920 (CNY197.6596) |
| 100+ | CNY173.130 (CNY195.6369) |
品項附註
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTBG014N120M3P复制
库存编号
复卷4079787RL
切割卷带4079787
产品范围EliteSiC Series
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续104A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.014ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值4.63V
功率耗散227W
工作温度最高值175°C
产品范围EliteSiC Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
104A
漏源接通状态电阻
0.014ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
4.63V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
227W
产品范围
EliteSiC Series
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001