打印页面
NTB7D3N15MC
功率场效应管, MOSFET, N通道, 150 V, 101 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
785 有货
需要更多？
785 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY23.780 | CNY23.78 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY23.780 (CNY26.8714) |
| 10+ | CNY16.390 (CNY18.5207) |
| 100+ | CNY16.080 (CNY18.1704) |
| 500+ | CNY15.750 (CNY17.7975) |
| 800+ | CNY15.420 (CNY17.4246) |
| 1600+ | CNY15.100 (CNY17.063) |
| 2400+ | CNY14.770 (CNY16.6901) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTB7D3N15MC
库存编号
复卷3787292RL
切割卷带3787292
产品范围PowerTrench
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds150V
电流, Id 连续101A
漏源接通状态电阻6000µohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散166W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围PowerTrench
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
150V, 101A N-channel shielded gate PowerTrench® MOSFET is typically used in synchronous rectification for ATX / server / telecom PSU, motor drives, uninterruptible power supplies and micro solar inverters.
- Shielded gate MOSFET technology, optimized switching performance
- Max RDS(on) = 7.3mohm at VGS = 10V, ID = 62A
- Industry’s lowest Qrr and softest body-diode for superior low noise switching
- 50% lower Qrr than other MOSFET suppliers
- High efficiency with lower switching spike and EMI
- Lowers switching noise/EMI, improved switching FOM particularly Qgd
- 100% UIL tested
- No need or less snubber
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
101A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
166W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
150V
漏源接通状态电阻
6000µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4.5V
针脚数
3引脚
产品范围
PowerTrench
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001