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NTA4153NT1G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-75, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 10+ | CNY1.280 (CNY1.4464) |
| 100+ | CNY0.793 (CNY0.8961) |
| 500+ | CNY0.584 (CNY0.6599) |
| 1000+ | CNY0.397 (CNY0.4486) |
| 5000+ | CNY0.337 (CNY0.3808) |
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产品概述
NTA4153NT1G是一款N沟道小信号MOSFET, 栅极ESD保护。适用于负载/电源开关, 电源转换器电路, 电池管理, 手机, PDA, 数码相机和寻呼机等便携式设备。
- 低 RDS (ON), 提高系统效率
- 1.5V额定阈值电压
- 工作结温范围: -55到150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
915mA
晶体管封装类型
SC-75
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
300mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.23ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
760mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0025