打印页面
NST856MTWFTBG
单晶体管 双极, PNP, 65 V, 100 mA, 650 mW, XDFNW, 表面安装
3,000 有货
需要更多？
3,000 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.120 (CNY4.6556) |
| 10+ | CNY2.530 (CNY2.8589) |
| 100+ | CNY1.620 (CNY1.8306) |
| 500+ | CNY1.220 (CNY1.3786) |
| 1000+ | CNY0.854 (CNY0.965) |
| 5000+ | CNY0.778 (CNY0.8791) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
CNY20.60 (CNY23.28 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品概述
NST856MTWFTBG is a PNP, 65V, 100mA general purpose transistor designed for general purpose amplifier applications. It is housed in an ultra−compact DFN1010−3 with wettable flanks, recommended for the automotive industry’s optical inspection methods. The transistor is ideal for low−power surface mount applications where board space and reliability are at a premium.
- Total power dissipation per device at TA = 25°C is 570mW
- Junction temperature range from −65 to +150°C
技术规格
晶体管极性
PNP
连续集电极电流
100mA
晶体管封装类型
XDFNW
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
220hFE
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
最大集电极发射电压
65V
功率耗散
650mW
晶体管安装
表面安装
过渡频率
100MHz
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001