打印页面
NSS60200LT1G
单晶体管 双极, PNP, 60 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, 表面安装
可订购
有货时请通知我
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.350 (CNY4.9155) |
| 10+ | CNY2.670 (CNY3.0171) |
| 100+ | CNY1.730 (CNY1.9549) |
| 500+ | CNY1.470 (CNY1.6611) |
| 1000+ | CNY0.969 (CNY1.095) |
| 5000+ | CNY0.950 (CNY1.0735) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
CNY21.75 (CNY24.58 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NSS60200LT1G
库存编号2317570
技术数据表
晶体管极性PNP
最大集电极发射电压60V
连续集电极电流2A
功率耗散540mW
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
针脚数3引脚
过渡频率100MHz
直流电流增益, Hfe 最小值100hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The NSS60200LT1G is a 4A PNP Bipolar Transistor designed for use in low voltage and high speed switching applications where affordable efficient energy control is important. It is a miniature surface-mount device featuring ultra-low saturation voltage VCE(sat) and high current gain capability. In the automotive industry it can be used in air bag deployment and in the instrument cluster. The high current gain allows e2PowerEdge devices to be driven directly from PMUs control outputs and the linear gain (Beta) makes it ideal components in analogue amplifiers.
- ESD robust
- High current gain
- High cut-off frequency
- Low profile package
- Improved circuit efficiency
- Decreased battery charge time
- Reduce component count
- High frequency switching
- Smaller portable product
- No distortion
- AECQ101 qualified and PPAP capable
技术规格
晶体管极性
PNP
连续集电极电流
2A
晶体管封装类型
SOT-23
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
100hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
60V
功率耗散
540mW
晶体管安装
表面安装
过渡频率
100MHz
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000029