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NDT3055L
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY9.150 | CNY45.75 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY9.150 (CNY10.3395) |
| 50+ | CNY6.080 (CNY6.8704) |
| 250+ | CNY4.810 (CNY5.4353) |
| 1000+ | CNY4.280 (CNY4.8364) |
| 2000+ | CNY4.190 (CNY4.7347) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 4000+ | CNY4.100 (CNY4.633) |
| 12000+ | CNY4.020 (CNY4.5426) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NDT3055L
库存编号
整卷2336834
复卷9845305RL
切割卷带9845305
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续4A
漏源接通状态电阻0.1ohm
晶体管封装类型SOT-223
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.6V
功率耗散3W
针脚数4引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The NDT3055L is a N-channel logic level enhancement mould MOSFET using high cell density, DMOS technology. This very high density process has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance and withstand high energy pulses in the avalanche and commutation modes. These devices are particularly suited for low voltage applications such as DC/DC converters, PWM motor controls and other battery powered circuits where fast switching, low in-line power loss and resistance to transients are needed.
- High density cell design for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- Low drive requirements allowing operation directly from logic drivers
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
4A
晶体管封装类型
SOT-223
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
3W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.1ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.6V
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000172