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NDS9948
双路场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 2.3 A
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY5.720 | CNY28.60 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY5.720 (CNY6.4636) |
| 50+ | CNY4.770 (CNY5.3901) |
| 100+ | CNY3.810 (CNY4.3053) |
| 500+ | CNY3.740 (CNY4.2262) |
| 1000+ | CNY3.660 (CNY4.1358) |
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产品概述
The NDS9948 is a dual P-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It has been optimized for applications requiring a wide range of gate drive voltage ratings (4.5 to 20V). The device is suitable for use with load switch and battery protection applications.
- Low gate charge
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- ±20V Gate to source voltage
- 2A Continuous drain current
- 1.6A Pulsed drain current
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
2.3A
漏源导通电阻P沟道
0.25ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
-
连续漏极电流 Id N沟道
-
漏源通态电阻N沟道
-
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
-
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00011