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NDC7003P
双路场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 60 V, 340 mA, 340 mA, 1.2 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY2.230 | CNY11.15 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.230 (CNY2.5199) |
| 50+ | CNY1.840 (CNY2.0792) |
| 100+ | CNY1.440 (CNY1.6272) |
| 500+ | CNY1.290 (CNY1.4577) |
| 1500+ | CNY1.190 (CNY1.3447) |
品項附註
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NDC7003P
库存编号
复卷2454057RL
切割卷带2454057
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道340mA
连续漏极电流 Id P沟道340mA
漏源通态电阻N沟道1.2ohm
漏源导通电阻P沟道1.2ohm
晶体管封装类型SOT-23
针脚数6引脚
耗散功率N沟道960mW
耗散功率P沟道960mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The NDC7003P is a PowerTrench® dual P-channel MOSFET produced using Trench technology. This very high density process has been designed to minimize ON-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching. This device is particularly suited for low voltage applications requiring a low current high side switch.
- Low gate charge
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for low RDS (ON)
- Small footprint
- Low profile
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
340mA
漏源导通电阻P沟道
1.2ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
960mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
340mA
漏源通态电阻N沟道
1.2ohm
晶体管封装类型
SOT-23
耗散功率N沟道
960mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000033