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NCV57001DWR2G
IGBT驱动器, 高压侧和低压侧, 7.1A, 3.3V至5V电源, 60 ns/66ns延迟, WSOIC-16
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY39.360 | CNY39.36 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY39.360 (CNY44.4768) |
| 10+ | CNY29.640 (CNY33.4932) |
| 25+ | CNY27.280 (CNY30.8264) |
| 50+ | CNY25.800 (CNY29.154) |
| 100+ | CNY24.320 (CNY27.4816) |
| 250+ | CNY23.330 (CNY26.3629) |
| 500+ | CNY21.740 (CNY24.5662) |
品項附註
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NCV57001DWR2G复制
库存编号
复卷3131480RL
切割卷带3131480
技术数据表
通道数1放大器
栅极驱动器类型隔离式
驱动配置高压侧和低压侧
电源开关类型IGBT
针脚数16引脚
IC 外壳 / 封装WSOIC
芯片安装表面安装
输入类型-
拉电流-
灌电流-
电源电压最小值3.3V
电源电压最大值5V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值125°C
输入延迟60ns
输出延迟66ns
产品范围-
合规AEC-Q100
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
NCV57001DWR2G 是一款具有内部电隔离功能的大电流单通道 IGBT 栅极驱动器，专为大功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。其特点包括互补输入、漏极开路故障和就绪输出、有源米勒钳位、精确的 UVLO、DESAT 保护、DESAT 时的软关断以及独立的高电平和低电平（OUTH 和 OUTL）驱动器输出，为系统设计提供了便利。NCV57001 在输入端支持 5V 和 3.3V 信号，在驱动器端支持宽偏置电压范围，包括负电压功能。
- 在 IGBT 米勒高原电压下输出大电流（+4/-6A）
- 传播延迟短，匹配精确，主动式毫尔钳位可防止栅极虚假开启
- 带可编程延迟的 DESAT 保护功能
- 用于 DESAT 的负电压（低至 -9V）功能
- IGBT 短路时软关断，IGBT 栅极短路时箝位
- 严格的欠压锁定阈值实现了偏置灵活性，偏置电压范围宽，包括负 VEE2
- 5000V 电隔离（符合 UL1577 要求）
- 高瞬态抗扰度、高电磁抗扰度
- 输入电压范围为 3.3V 至 5V，专为 AEC-Q100 认证而设计
- SOIC-16 宽体封装，环境温度范围为 -40 至 125°C
技术规格
通道数
1放大器
驱动配置
高压侧和低压侧
针脚数
16引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
-
电源电压最小值
3.3V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
60ns
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
栅极驱动器类型
隔离式
电源开关类型
IGBT
IC 外壳 / 封装
WSOIC
输入类型
-
灌电流
-
电源电压最大值
5V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
66ns
合规
AEC-Q100
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0034