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NCV5183DR2G
MOSFET驱动器, 高压侧与低压侧, 9 V至18 V电源, 4.3 A输出, 120 ns延迟, SOIC-8
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY16.870 | CNY16.87 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY16.870 (CNY19.0631) |
| 10+ | CNY11.010 (CNY12.4413) |
| 50+ | CNY10.360 (CNY11.7068) |
| 100+ | CNY9.700 (CNY10.961) |
| 250+ | CNY9.190 (CNY10.3847) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NCV5183DR2G复制
库存编号
复卷2760565RL
切割卷带2760565
技术数据表
通道数2放大器
栅极驱动器类型隔离式
驱动配置高压侧和低压侧
电源开关类型MOSFET
针脚数8引脚
IC 外壳 / 封装SOIC
芯片安装表面安装
输入类型非反向
拉电流4.3A
灌电流4.3A
电源电压最小值9V
电源电压最大值18V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值125°C
输入延迟120ns
输出延迟120ns
产品范围-
合规AEC-Q100
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道数
2放大器
驱动配置
高压侧和低压侧
针脚数
8引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
4.3A
电源电压最小值
9V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
120ns
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
栅极驱动器类型
隔离式
电源开关类型
MOSFET
IC 外壳 / 封装
SOIC
输入类型
非反向
灌电流
4.3A
电源电压最大值
18V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
120ns
合规
AEC-Q100
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.014016