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MUN5212DW1T1G
晶体管 双极预偏置/数字, 双NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY1.140 | CNY5.70 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY1.140 (CNY1.2882) |
| 50+ | CNY0.925 (CNY1.0452) |
| 100+ | CNY0.709 (CNY0.8012) |
| 500+ | CNY0.458 (CNY0.5175) |
| 1500+ | CNY0.449 (CNY0.5074) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号MUN5212DW1T1G
库存编号
复卷2535584RL
切割卷带2535584
技术数据表
数字晶体管极性双路 NPN
晶体管极性双NPN
集电极发射电压, Vceo50V
集电极发射极电压最大值NPN50V
集电极发射极电压最大值 PNP-
集电极连续电流100mA
连续集电极电流100mA
基极输入电阻 R122kohm
电阻比 R1/R21电阻比率
基极-发射极电阻R222kohm
射频晶体管封装SOT-363
晶体管封装类型SOT-363
引脚数6引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散385mW
工作温度最高值150°C
直流电流增益, Hfe 最小值60hFE
产品范围-
合规-
汽车质量标准AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
数字晶体管极性
双路 NPN
集电极发射电压, Vceo
50V
集电极发射极电压最大值 PNP
-
连续集电极电流
100mA
电阻比 R1/R2
1电阻比率
射频晶体管封装
SOT-363
引脚数
6引脚
功率耗散
385mW
直流电流增益, Hfe 最小值
60hFE
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
晶体管极性
双NPN
集电极发射极电压最大值NPN
50V
集电极连续电流
100mA
基极输入电阻 R1
22kohm
基极-发射极电阻R2
22kohm
晶体管封装类型
SOT-363
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000016