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MMUN2232LT1G
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单个NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY0.606 | CNY3.03 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY0.606 (CNY0.6848) |
| 50+ | CNY0.494 (CNY0.5582) |
| 100+ | CNY0.382 (CNY0.4317) |
| 500+ | CNY0.271 (CNY0.3062) |
| 1500+ | CNY0.266 (CNY0.3006) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号MMUN2232LT1G
库存编号
复卷2464139RL
切割卷带2464139
技术数据表
数字晶体管极性单路NPN
晶体管极性单个NPN
集电极发射极电压最大值NPN50V
集电极发射电压, Vceo50V
集电极发射极电压最大值 PNP-
集电极连续电流100mA
连续集电极电流100mA
基极输入电阻 R14.7kohm
电阻比 R1/R21电阻比率
基极-发射极电阻R24.7kohm
射频晶体管封装SOT-23
晶体管封装类型SOT-23
引脚数3引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散400mW
工作温度最高值150°C
直流电流增益, Hfe 最小值15hFE
产品范围-
合规-
汽车质量标准AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
数字晶体管极性
单路NPN
集电极发射极电压最大值NPN
50V
集电极发射极电压最大值 PNP
-
连续集电极电流
100mA
电阻比 R1/R2
1电阻比率
射频晶体管封装
SOT-23
引脚数
3引脚
功率耗散
400mW
直流电流增益, Hfe 最小值
15hFE
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
晶体管极性
单个NPN
集电极发射电压, Vceo
50V
集电极连续电流
100mA
基极输入电阻 R1
4.7kohm
基极-发射极电阻R2
4.7kohm
晶体管封装类型
SOT-23
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
MMUN2232LT1G 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001