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MMUN2111LT1G
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单个PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
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| 切割卷带 | 5 | CNY0.606 | CNY3.03 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY0.606 (CNY0.6848) |
| 50+ | CNY0.382 (CNY0.4317) |
| 250+ | CNY0.278 (CNY0.3141) |
| 1000+ | CNY0.218 (CNY0.2463) |
| 15000+ | CNY0.214 (CNY0.2418) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号MMUN2111LT1G
库存编号
复卷9556702RL
切割卷带9556702
技术数据表
晶体管极性单个PNP
数字晶体管极性单路PNP
集电极发射电压, Vceo50V
集电极发射极电压最大值NPN-
集电极发射极电压最大值 PNP50V
集电极连续电流100mA
连续集电极电流100mA
基极输入电阻 R110kohm
基极-发射极电阻R210kohm
电阻比 R1/R21电阻比率
晶体管封装类型SOT-23
射频晶体管封装SOT-23
引脚数3引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散400mW
工作温度最高值150°C
直流电流增益, Hfe 最小值35hFE
产品范围-
合规-
汽车质量标准AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
MMUN2111LT1G 是一款PNP数字晶体管, 设计用于替代单器件及外部电阻偏置阵列。偏置电阻晶体管 (BRT)包含1个晶体管和偏置阵列, 由2个电阻器, 1个串联基极电阻器, 和1个基极发射极电阻器组成。BRT将它们集成到单体设备上。
- 简化电路设计
- 减少电路板占用空间
- 减少组件数量
技术规格
晶体管极性
单个PNP
集电极发射电压, Vceo
50V
集电极发射极电压最大值 PNP
50V
连续集电极电流
100mA
基极-发射极电阻R2
10kohm
晶体管封装类型
SOT-23
引脚数
3引脚
功率耗散
400mW
直流电流增益, Hfe 最小值
35hFE
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
数字晶体管极性
单路PNP
集电极发射极电压最大值NPN
-
集电极连续电流
100mA
基极输入电阻 R1
10kohm
电阻比 R1/R2
1电阻比率
射频晶体管封装
SOT-23
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536