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MMBT2907AWT1G

单晶体管 双极, 通用, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, 表面安装

ONSEMI
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
ONSEMI MMBT2907AWT1G
制造商ONSEMI
制造商产品编号MMBT2907AWT1G
库存编号
整卷2317861
复卷2317593RL
切割卷带2317593
产品范围MMBTxxxx
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包装类型数量单价 (不含增值税):合计
切割卷带5CNY0.823CNY4.12
合计 价钱 (含税) CNY4.12 (CNY4.65)
切割卷带 & 复卷
数量价钱 (含税)
5+CNY0.823 (CNY0.930)
50+CNY0.662 (CNY0.7481)
100+CNY0.501 (CNY0.5661)
500+CNY0.315 (CNY0.356)
1500+CNY0.309 (CNY0.3492)
整卷
数量价钱 (含税)
3000+CNY0.283 (CNY0.3198)
9000+CNY0.278 (CNY0.3141)
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  • ONSEMI
    制造商ONSEMI
    制造商产品编号MMBT2907AWT1G
    库存编号
    整卷2317861
    复卷2317593RL
    切割卷带2317593
    产品范围MMBTxxxx
    技术数据表

    Data Sheet

    晶体管极性PNP
    最大集电极发射电压60V
    连续集电极电流600mA
    功率耗散150mW
    晶体管封装类型SOT-323
    晶体管安装表面安装
    针脚数3引脚
    过渡频率200MHz
    直流电流增益, Hfe 最小值50hFE
    工作温度最高值150°C
    产品范围MMBTxxxx
    合规AEC-Q101
    湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
    SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)

  • The MMBT2907AWT1G is a PNP Bipolar Transistor designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the package which is designed for low power surface-mount applications.

    • Halogen-free
    • AEC-Q101 qualified and PPAP capable
  • 晶体管极性

    PNP

    连续集电极电流

    600mA

    晶体管封装类型

    SOT-323

    针脚数

    3引脚

    直流电流增益, Hfe 最小值

    50hFE

    产品范围

    MMBTxxxx

    湿气敏感性等级

    MSL 1 -无限制

    最大集电极发射电压

    60V

    功率耗散

    150mW

    晶体管安装

    表面安装

    过渡频率

    200MHz

    工作温度最高值

    150°C

    合规

    AEC-Q101

    SVHC(高度关注物质)

    No SVHC (25-Jun-2025)

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  • 原产地：
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：    China
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号：85412100
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规：是

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是

    RoHS

    SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
    下载产品合规证书

    产品合规证书

    重量（千克）：.000006