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MMBT2484LT1G

单晶体管 双极, NPN, 60 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, 表面安装

ONSEMI
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
ONSEMI MMBT2484LT1G
制造商ONSEMI
制造商产品编号MMBT2484LT1G
库存编号
复卷2464062RL
切割卷带2464062
产品范围MMBTxxxx
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切割卷带5CNY0.826CNY4.13
合计 价钱 (含税) CNY4.13 (CNY4.67)
切割卷带 & 复卷
数量价钱 (含税)
5+CNY0.826 (CNY0.9334)
50+CNY0.682 (CNY0.7707)
100+CNY0.536 (CNY0.6057)
500+CNY0.342 (CNY0.3865)
1500+CNY0.335 (CNY0.3786)
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  • ONSEMI
    制造商ONSEMI
    制造商产品编号MMBT2484LT1G
    库存编号
    复卷2464062RL
    切割卷带2464062
    产品范围MMBTxxxx
    技术数据表

    Data Sheet

    晶体管极性NPN
    最大集电极发射电压60V
    连续集电极电流100mA
    功率耗散300mW
    晶体管封装类型SOT-23
    晶体管安装表面安装
    针脚数3引脚
    过渡频率-
    直流电流增益, Hfe 最小值250hFE
    工作温度最高值150°C
    产品范围MMBTxxxx
    合规AEC-Q101
    湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
    SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)

  • The MMBT2484LT1G is a NPN Bipolar transistor designed for high gain, low noise general purpose amplifier applications. The device is housed in the package which is designed for lower power surface-mount applications.

    • Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
    • Package saves board space
  • 晶体管极性

    NPN

    连续集电极电流

    100mA

    晶体管封装类型

    SOT-23

    针脚数

    3引脚

    直流电流增益, Hfe 最小值

    250hFE

    产品范围

    MMBTxxxx

    湿气敏感性等级

    MSL 1 -无限制

    最大集电极发射电压

    60V

    功率耗散

    300mW

    晶体管安装

    表面安装

    过渡频率

    -

    工作温度最高值

    150°C

    合规

    AEC-Q101

    SVHC(高度关注物质)

    No SVHC (25-Jun-2025)

  • 原产地：
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：    China
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号：85412100
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规：是

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是

    RoHS

    SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
    下载产品合规证书

    产品合规证书

    重量（千克）：.001