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MJE210G
单晶体管 双极, PNP, 40 V, 5 A, 15 W, TO-225, 通孔
已停产
产品概述
The MJE210G is a PNP complementary silicon Power Transistor designed for low voltage, low-power and high-gain audio amplifier applications. The device offers high DC current gain and low collector to emitter saturation voltage.
- High current-gain-bandwidth product
- Annular construction for low leakage
- 40VDC Collector-emitter voltage
- 25VDC Collector-base voltage
- 8VDC Emitter-base voltage
- 5A Continuous collector current
技术规格
晶体管极性
PNP
连续集电极电流
5A
晶体管封装类型
TO-225
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
10hFE
产品范围
MJxxxx
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
40V
功率耗散
15W
晶体管安装
通孔
过渡频率
65MHz
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (23-Jan-2024)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00068