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MJD50G
单晶体管 双极, 通用, NPN, 400 V, 1 A, 1.56 W, TO-252 (DPAK), 表面安装
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|---|---|
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| 10+ | CNY4.030 (CNY4.5539) |
| 100+ | CNY3.690 (CNY4.1697) |
| 500+ | CNY3.340 (CNY3.7742) |
| 1000+ | CNY2.680 (CNY3.0284) |
| 5000+ | CNY2.630 (CNY2.9719) |
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最低: 1
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号MJD50G
库存编号9555870
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压400V
连续集电极电流1A
功率耗散1.56W
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
针脚数4引脚
过渡频率10MHz
直流电流增益, Hfe 最小值30hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
The MJD50G is a 1A NPN high voltage bipolar Power Transistor designed for line operated audio output amplifier, SWITCHMODE power supply drivers and other switching applications.
- Electrically similar to popular TIP47 and TIP50
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
1A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
针脚数
4引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
30hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
400V
功率耗散
1.56W
晶体管安装
表面安装
过渡频率
10MHz
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Vietnam
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Vietnam
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0004