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MJB44H11G
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), 表面安装
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号MJB44H11G复制
库存编号2535625
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压80V
连续集电极电流10A
功率耗散50W
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
针脚数3引脚
过渡频率50MHz
直流电流增益, Hfe 最小值40hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
The MJB44H11G is a 80V NPN complementary Power Transistor designed for general purpose power amplification and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers.
- Low collector to emitter saturation voltage (VCE (sat) = 1V maximum at 8A)
- Fast switching speeds
- Complementary pairs simplifies designs
- ESD rating - 3B <gt/> 8000V human body model, C <gt/> 400V machine model
- 5V Emitter to base voltage (VEBO)
- 2.5°C/W Thermal resistance, junction to case
- 7.5°C/W Thermal resistance, junction to ambient
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
10A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
40hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
80V
功率耗散
50W
晶体管安装
表面安装
过渡频率
50MHz
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00229