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KSC5502DTM
单晶体管 双极, 高电压, NPN, 600 V, 2 A, 50 W, TO-252 (DPAK), 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY10.680 | CNY10.68 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY10.680 (CNY12.0684) |
| 10+ | CNY6.700 (CNY7.571) |
| 100+ | CNY4.120 (CNY4.6556) |
| 500+ | CNY4.040 (CNY4.5652) |
| 1000+ | CNY3.960 (CNY4.4748) |
| 5000+ | CNY3.880 (CNY4.3844) |
品項附註
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产品概述
The KSC5502DTM is a NPN triple diffused planar Silicon Transistor offers 1200V collector base voltage and 2A collector current. It is suitable for high voltage power switch switching applications.
- Wide safe operating area
- Built-in free-wheeling diode
- Small variance in storage time
- Suitable for electronic ballast application
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
2A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
15hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
600V
功率耗散
50W
晶体管安装
表面安装
过渡频率
11MHz
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000557