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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY9.870 | CNY9.87 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY9.870 (CNY11.1531) |
| 10+ | CNY5.800 (CNY6.554) |
| 100+ | CNY4.080 (CNY4.6104) |
| 500+ | CNY3.210 (CNY3.6273) |
| 1000+ | CNY2.530 (CNY2.8589) |
| 5000+ | CNY2.480 (CNY2.8024) |
品項附註
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号KSC5502DTM
库存编号
复卷2101374RL
切割卷带2101374
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压600V
连续集电极电流2A
功率耗散50W
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
针脚数3引脚
过渡频率11MHz
直流电流增益, Hfe 最小值15hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
The KSC5502DTM is a NPN triple diffused planar Silicon Transistor offers 1200V collector base voltage and 2A collector current. It is suitable for high voltage power switch switching applications.
- Wide safe operating area
- Built-in free-wheeling diode
- Small variance in storage time
- Suitable for electronic ballast application
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
2A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
15hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
600V
功率耗散
50W
晶体管安装
表面安装
过渡频率
11MHz
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000557

