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IRF530A
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 14 A, 0.11 ohm, TO-220, 通孔
不再進貨
产品概述
The IRF530A is a 100V N-channel Advanced Power MOSFET featured with avalanche rugged technology and rugged gate oxide technology. It has lower input capacitance and improved gate charge.
- Extended safe operating area
- Lower leakage current (10A maximum at VDS = 100V)
- Lower RDS (ON) (0.092Ω typical)
- ±20V Gate to source voltage
- 62.5°C/W Thermal resistance, junction to ambient
- 2.74°C/W Thermal resistance, junction to case
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
14A
晶体管封装类型
TO-220
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
55W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.11ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002722