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HUF75339P3

功率场效应管, MOSFET, N通道, 55 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-220AB, 通孔

ONSEMI
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ONSEMI HUF75339P3
制造商ONSEMI
制造商产品编号HUF75339P3
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  • ONSEMI
    制造商ONSEMI
    制造商产品编号HUF75339P3
    库存编号1095124
    技术数据表

    Data Sheet

    通道类型N通道
    漏源电压, Vds55V
    电流, Id 连续75A
    漏源接通状态电阻0.012ohm
    晶体管封装类型TO-220AB
    晶体管安装通孔
    Rds(on)测试电压10V
    阈值栅源电压最大值4V
    功率耗散200W
    针脚数3引脚
    工作温度最高值175°C
    产品范围-
    合规-
    湿气敏感性等级-
    SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)

  • The HUF75339P3 is a 55V N-channel UltraFET Power MOSFET. This advanced process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. It was designed for applications where power efficiency is important, such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers, low-voltage bus switches and power management in portable and battery-operated products. This product is general usage and suitable for many different applications.

    • Peak current vs. pulse width curve
    • UIS Rated curve
  • 通道类型

    N通道

    电流, Id 连续

    75A

    晶体管封装类型

    TO-220AB

    Rds(on)测试电压

    10V

    功率耗散

    200W

    工作温度最高值

    175°C

    合规

    -

    SVHC(高度关注物质)

    Lead (25-Jun-2025)

    漏源电压, Vds

    55V

    漏源接通状态电阻

    0.012ohm

    晶体管安装

    通孔

    阈值栅源电压最大值

    4V

    针脚数

    3引脚

    产品范围

    -

    湿气敏感性等级

    -

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  • 原产地：
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：    China
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号：85412900
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规：Y-Ex

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是

    RoHS

    SVHC:Lead (25-Jun-2025)
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    重量（千克）：.002041