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FQP13N06L
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 13.6 A, 0.088 ohm, TO-220AB, 通孔
已停产
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FQP13N06L复制
库存编号2453437
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续13.6A
漏源接通状态电阻0.088ohm
晶体管封装类型TO-220AB
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散45W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (17-Jan-2022)
产品概述
The FQP13N06L is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.
- 100% avalanche tested
- 4.8nC typical low gate charge
- 17pF typical low Crss
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
13.6A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
45W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (17-Jan-2022)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.088ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (17-Jan-2022)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.003629