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FQD5P20TM
功率场效应管, MOSFET, P通道, 200 V, 3.7 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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| 500+ | CNY3.130 (CNY3.5369) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FQD5P20TM
库存编号2322629
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds200V
电流, Id 连续3.7A
漏源接通状态电阻1.1ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散45W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
The FQD5P20TM is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.
- 100% avalanche tested
- 10nC typical low gate charge
- 12pF typical low Crss
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
3.7A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
45W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
1.1ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000376