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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY44.540 | CNY44.54 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY44.540 (CNY50.3302) |
| 10+ | CNY29.170 (CNY32.9621) |
| 50+ | CNY25.460 (CNY28.7698) |
| 100+ | CNY21.730 (CNY24.5549) |
| 250+ | CNY21.300 (CNY24.069) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 800+ | CNY20.880 (CNY23.5944) |
| 2400+ | CNY20.470 (CNY23.1311) |
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产品概述
The FQB47P06TM_AM002 is a QFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.
- 100% avalanche tested
- 84nC typical low gate charge
- 320pF typical low Crss
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
47A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
160W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.026ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
2引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
FQB47P06TM-AM002 的替代之选
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.003477
