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FQB22P10TM
功率场效应管, MOSFET, P通道, 100 V, 22 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY20.480 | CNY20.48 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY20.480 (CNY23.1424) |
| 10+ | CNY12.790 (CNY14.4527) |
| 100+ | CNY9.120 (CNY10.3056) |
| 500+ | CNY7.630 (CNY8.6219) |
| 1000+ | CNY7.000 (CNY7.910) |
| 5000+ | CNY6.860 (CNY7.7518) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FQB22P10TM
库存编号
复卷2464133RL
切割卷带2464133
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续22A
漏源接通状态电阻0.125ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散3.75W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
The FQB22P10TM is a QFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.
- 100% avalanche tested
- 40nC typical low gate charge
- 160pF typical low Crss
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
22A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
3.75W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.125ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00208