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FQA36P15..
功率场效应管, MOSFET, P通道, 150 V, 36 A, 0.09 ohm, TO-3P, 通孔
不再進貨
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FQA36P15..
库存编号1471061
产品范围QFET Series
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds150V
电流, Id 连续36A
漏源接通状态电阻0.09ohm
晶体管封装类型TO-3P
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散294W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围QFET Series
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
产品概述
The FQA36P15 is a -150V P-channel QFET® enhancement mode Power MOSFET is produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control and variable switching power applications. This product is general usage and suitable for many different applications.
- Low gate charge
- 100% avalanche tested
- 175°C rated junction temperature
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
36A
晶体管封装类型
TO-3P
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
294W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
漏源电压, Vds
150V
漏源接通状态电阻
0.09ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
QFET Series
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.01453