FGA60N65SMD

IGBT, 120 A, 1.9 V, 600 W, 650 V, TO-3PN, 3 引脚

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ONSEMI FGA60N65SMD
制造商ONSEMI
制造商产品编号FGA60N65SMD
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  • 制造商ONSEMI
    制造商产品编号FGA60N65SMD
    库存编号2825136
    技术数据表
    连续集电极电流120A
    集电极-发射极饱和电压1.9V
    功率耗散600W
    最大集电极发射电压650V
    晶体管封装类型TO-3PN
    针脚数3引脚
    工作温度最高值175°C
    晶体管安装通孔
    产品范围-
    湿气敏感性等级-
    SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
  • 连续集电极电流

    120A

    功率耗散

    600W

    晶体管封装类型

    TO-3PN

    工作温度最高值

    175°C

    产品范围

    -

    SVHC(高度关注物质)

    No SVHC (25-Jun-2025)

    集电极-发射极饱和电压

    1.9V

    最大集电极发射电压

    650V

    针脚数

    3引脚

    晶体管安装

    通孔

    湿气敏感性等级

    -

  • 原产地:
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:
    China
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号:85412900
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规:Y-Ex

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:

    RoHS

    SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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    产品合规证书

    重量(千克):.007439