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FDY3000NZ
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 600 mA, 0.7 ohm
已停产
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDY3000NZ复制
库存编号
复卷1495194RL
切割卷带1495194
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道600mA
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道0.7ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SC-89
针脚数6引脚
耗散功率N沟道625mW
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
产品概述
The FDY3000NZ is a dual N-channel MOSFET designed using advanced PowerTrench® process. It is suitable for use with Li-Ion battery pack.
- ±12V Gate to source voltage
- 600mA Continuous drain current
- 1000mA Pulsed drain current
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
600mA
漏源通态电阻N沟道
0.7ohm
晶体管封装类型
SC-89
耗散功率N沟道
625mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000069