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FDY1002PZ.
双路场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 20 V, 830 mA, 830 mA, 0.28 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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- 制造商ONSEMI制造商产品编号FDY1002PZ.库存编号2822541技术数据表通道类型P通道漏源电压Vds N沟道20V漏源电压Vds P沟道20V连续漏极电流 Id N沟道830mA连续漏极电流 Id P沟道830mA漏源通态电阻N沟道0.28ohm漏源导通电阻P沟道0.28ohm晶体管封装类型SC-89针脚数6引脚耗散功率N沟道625mW耗散功率P沟道625mW工作温度最高值150°C产品范围PowerTrench Series合规-湿气敏感性等级MSL 1 -无限制SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
警告
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- 通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id P沟道830mA
漏源导通电阻P沟道0.28ohm
针脚数6引脚
耗散功率P沟道625mW
产品范围PowerTrench Series
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道830mA
漏源通态电阻N沟道0.28ohm
晶体管封装类型SC-89
耗散功率N沟道625mW
工作温度最高值150°C
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
- 原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区税则号：85412100US ECCN:EAR99EU ECCN:NLRRoHS 合规：是RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)下载产品合规证书产品合规证书
重量（千克）：.00007